昨日萬先生提問了關于多型相變控制技術是什么？下面一起來認識一下：

碳化硅常見多型包括4H、6H、15R。15R與4H、15R與6H是晶格失配，易產生裂紋。但是，生長中包括兩類問題：4H晶體生長，易出現6H、15R雜相；6H晶體生長，易出現15R雜相。

可能的機理分析：(0001)面的平面區過大，成的SiC層容易采用不同于上一層的堆疊方式，造成c方向堆疊的不延續，出現隨機性。降低平面區大小，形成更多的臺階，這樣至少短期內是沒有新層出現，或者說減少新層同時出現的區域。

可能的應對方法：方案1.調節氣氛。氮氣氣氛能夠構筑更多的臺階；方案2.籽晶處理。（001）晶面偏4°生長。同樣用于層錯控制技術。

其實，這里叫做多型相變控制技術，其實是從結果出發的。

技術點有兩個方向：一是關注可控的事物，一是關注結果。改變可控的事物，這就是技術；而技術展現后，實現結果。這里，也可以拆解為兩個技術：氣氛類型控制技術，以及籽晶方向控制技術。一般，實現一個結果需要多種技術的綜合；但是，可能一個技術實現了多種需要的結果。

比如，籽晶的引入，使得Lely法升級為物理的氣相輸運法，開創了碳化硅單晶的工業化。不但擴大了碳化硅單晶的尺寸，也增加了碳化硅單晶的質量。